OFET器件迁移率已经从最初10-5 cm2 V-1s-1发展到目前超过30cm2 V-1s-1，个简且OFET作为一种器件测试结构也被用来评估有机半导体迁移率，个简其场效应迁移率通常是由电流-电压特性推导得出，并假设该电流-电压关系遵从传统FET中肖克利渐进沟道近似（GCA）模型。

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